公司简介
启发（天津）电子科技有限公司成立于2018年2月，是清华大学天津电子信息研究院孵化的射频集成电路测试测量整体解决方案供应商，同时还是研究院电子信息综合检测中心的承运单位以及市场接口。
启发（天津）电子科技有限公司面向社会开放，提供真实的测试环境、验证产品方案和专业的咨询支持，帮助寻求创新的企业探求最佳解决方案，完成成果转化和产品研发测试。同时，公司与专业的射频电路专家紧密协作，提供全品类射频元器件评估板及夹具设计，以满足客户后续提出的参数提取、建模和仿真要求。
技术简介
单片微波集成电路，即MMIC，是Monolithic Microwave Integrated Circuit的缩写，广泛应用于卫星通信、相控阵雷达等国防军工领域，同时在汽车雷达、主动式毫米波安检门、5G通信等方向也有极大优势。
MMIC包括多种功能电路，如低噪声放大器（LNA）、功率放大器、混频器、上变频器、检波器、调制器、压控振荡器（VCO）、移相器、开关、MMIC收发前端，甚至整个发射/接收（T/R）组件（收发系统）。由于MMIC的衬底材料（如GaAs、InP）的电子迁移率较高、禁带宽度宽、工作温度范围大、微波传输性能好，所以MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。
对于相关器件的建模、技术开发、半导体工艺开发和规范、过程控制、元器件定标和试生产来说，精确和可重复的晶圆级（On Wafer）测量必不可少。半导体技术正在不断发展，产品从设计到上市的速度越来越快，同时对于更高精度的需求也日益增加。面对这些挑战，用户亟需一款综合的解决方案，以快速、精确地对元器件实施先进的直流和射频测量。
主营业务
1.半导体器件定制化建模服务
Cell Evaluation & Device Modeling
模型类型：
物理模型、行为模型、经验模型、紧凑型模型
半导体材料类型：
GaAs砷化镓、GaN氮化镓、InP磷化铟、SiGe硅锗
器件类型：
HBT、HEMT、MESFET
模型种类：
小信号、非线性
频率范围：
DC~110GHz
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能够提取高速数字、模拟和功率射频主流应用软件中所使用的精确而紧凑的模型，对CMOS、Bipolar、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等其他半导体器件进行提参建模。
2.MMIC芯片、模块设计及仿真
Design & simulation
芯片类型包括：
功放、低噪放、开关、混频器、调制器芯片等
模块类型包括：
T/R收发组件、变频组件
设计步骤包括：
电路设计、电磁分析、热分析、封装仿真
通过利用先进的EDA工具，创建可靠的设计方案，使设计一次性成功通过测试并实现高产出率。利用所有主要 MMIC 代工厂提供的完整并且持续更新的工艺设计套件（PDK），在仿真软件中进行 MMIC 原理图设计、高良率优化等前端设计。
除此之外还可提供精确的电路行为模型，供客户的系统设计部门评估芯片性能对子系统/系统的功能影响。
3.微波毫米波测试服务
Wafer Test & Measurement
应用领域：
5G移动通信、雷达、制导、遥感技术、射电天文学、临床医学、波谱学、汽车电子及自动驾驶、手势互动识别、工业检测等
测试功能：
直流IV/CV测试、频谱测试、单端和差分S参数、功率、噪声系数、非线性X参数、负载牵引等
测试条件：
连续波、脉冲、高低温
频率范围：
DC ~ 110GHz
温度范围：
-60℃~+300℃
8寸探针台、精密半导体参数测试仪、110GHz毫米波矢量网络分析仪均为领先行业的测试测量设备，为广大行业用户提供可溯源的精确测量结果。
4.芯片级功能验证
Function Verification
系统、子系统中各个芯片和功能模块的实现时间节点或许不同，当实际的芯片研制生产出来之后，设计师需要检测芯片性能，通过我们的验证测试环境，系统设计师能够将获得的芯片时域及频域参数输入到数字化样机的仿真环境当中，分析经过实际测试出来的芯片性能对模块、子系统及系统的性能影响，在实际的设计过程当中，这种半实物仿真的方法被广泛采用，可以迅速定位每个芯片和功能模块参数变化对系统指标的影响。利用高性能示波器验证分析时域参数，利用矢量信号分析仪进行频域参数的分析。
技术优势
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清华大学天津电子信息研究院单片微波集成电路（MMIC）综合实验室配置了行业领先的Cascade Microtech晶圆级探针台、微波和直流偏置探头以及校准工具，并与是德科技Keysight Technologies的测试仪器、测量和分析软件完美结合，可以对所有元器件执行全方位的测量。
每个晶圆级测量解决方案均可享受全方位的支持，清华大学天津电子信息研究院精通晶圆级测试与测量的解决专家将与客户紧密协作优化方案，以满足客户不断提出的测量、表征和建模要求。
平台设备
型号 | 名称 | 功能 |
N5290A | 微波矢量网络分析系统 | 实现900Hz至110GHz的连续测量 |
B1500A | 半导体分析仪 | 半导体大信号参数分析 |
Summit12K | 八英寸半自动探针台 | 八英寸半自动测量，温度范围-60摄氏度至+300摄氏度 |
N8976B | 噪声系数分析仪 | 噪声接收机，配合噪声源可以测试到110G噪声 |
N9020B | 频谱仪 | 频率10Hz-26.5GHz |
N6705C | 精密电源 | 3通道， 电压0.025% + 50 µV， 18 位，电流 0.025% + 8 nA， 18 位 |
DSOS804A | 示波器 | 带宽8G，通道4，最大采样率2GSa/s，最大存储器深度800Mpts |
E5080A | 矢量网络分析仪 | 9G，4端口 |
FBC-10-FB | 噪声源 | 频率75-110GHz |
E3634A | 直流电源 | 功率200W，输出25V，7A 或 50V，4A |
专项测试服务
待测量 | 范围 | 说明 |
S参数 | 900Hz-110GHz | S11，S12，S21，S22等多端口S参数测试 |
NF | 900Hz-50G，75G-110G | 可以用Y系数法，冷源法进行高达110G的噪声系数测试 |
P1dB | 900Hz-110GHz | 1dB压缩点的测试 |
IMD | 900Hz-110GHz | 三阶交调测试 |
Hamonics | 900Hz-110GHz | 谐波功率谱测试 |
变频增益/损耗 | 900Hz-110GHz | 变频器件的损耗，噪声系数，P1dB的测试 |
| 差分测试 | 10M-110GHz | 差分器件的测试 |
| 直流测试 | I-V c-V | 半导体参数测试 |
发展现状
公司成立以来，已成功为相控阵雷达、汽车雷达、无线通信等多个领域的芯片原型提供测试测量，分析样品主要参数性能并提出改进意见，获得了用户的一致好评，现已和全国多家射频芯片及连接器设计单位保持良好合作关系。
公司未来的发展方向包括半导体器件大信号参数与射频参数提取、行为级模型的建模与仿真、功率器件负载牵引与阻抗匹配、光电模块测试等。
联系方式
地址：天津市滨海新区中新天津生态城科技园启发大厦
联系人：安博
电话：18622338525
邮箱：anbo@tsinghua-eei.com
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